扫描透射电子显微镜 (scanning transmission electron microscopy﹐简写为STEM) 在扫描电子显微镜中﹐一般都是利用从样品表面发出也就是背射的二次电子成像﹐由于要安装各种信号的探测器﹐不得不将样品到物镜的距离加大到约10mm﹐这就使像的分辨率停留在几十埃到一百埃的水平上。如果使用薄膜样品﹐不但在背射方向有二次电子逸出﹐在透射方向也有二次电子逸出。在透射方向安置二次电子探测器就可以使样品位置移到距物镜较近的地方﹐显著提高二次电子像的分辨率。专门设计的扫描透射电子显微镜的分辨率也已达到2~3A的水平﹐在晶体缺陷的衍衬像﹑晶体的点阵像以及单个原子成像诸方面都已达到较高水平。
扫描透射电子显微镜方面比较突出的进展还是在透射电子显微镜中添加电子及X射线探测器﹐变成一个微区成分和微区晶体结构分析的有力工具。将电子束聚焦到样品上﹐不但能观察20~30A的组织形貌细节﹐并可以从X射线能谱分析及电子能量损失谱中得出这么微小区域的化学成分﹐从微区电子衍射得到它的晶体结构数据﹐这是近几年来电子显微学中发展较快的领域﹐称为分析电子显微学(analytical electron microscopy﹐简写为AEM)。
扫描电子显微镜(scanning electron microscopy﹐简写为SEM) 扫描电子显微镜的结构特点是聚焦电子束在样品表面上作面扫描﹐利用由此所产生的二次电子或其它讯号调制一个作同步扫描的显象管的发射电流﹐就会在屏上显示出样品表面上扫描区域的象。象的放大倍数决定于聚焦电子束扫描的线性长度﹐如为0.1mm﹐显象管上象的线性长度为100mm﹐则象的放大倍数为1000。因由样品表面发出的二次电子等信号不再经过任何透镜而直接用来成像﹐所以像的分辨率决定于照射到样品上的聚焦电子束的焦斑大小。电子光学和磁透镜的发展使得缩小电子束焦斑到几十埃甚至几埃都是可能的﹐问题是电子束的束流和样品发出的信号都随电子束直径的变小而显著减弱(接近于3次方的正比关系)﹔因此﹐提高电子枪的亮度和改进信号接收系统便成为发展和改进扫描电子显微镜的关键。
扫描透射电子显微镜 (scanning transmission electron microscopy﹐简写为STEM) 在扫描电子显微镜中﹐一般都是利用从样品表面发出也就是背射的二次电子成像﹐由于要安装各种信号的探测器﹐不得不将样品到物镜的距离加大到约10mm﹐这就使像的分辨率停留在几十埃到一百埃的水平上。如果使用薄膜样品﹐不但在背射方向有二次电子逸出﹐在透射方向也有二次电子逸出。在透射方向安置二次电子探测器就可以使样品位置移到距物镜较近的地方﹐显著提高二次电子像的分辨率。专门设计的扫描透射电子显微镜的分辨率也已达到2~3A的水平﹐在晶体缺陷的衍衬像﹑晶体的点阵像以及单个原子成像诸方面都已达到较高水平。
扫描透射电子显微镜方面比较突出的进展还是在透射电子显微镜中添加电子及X射线探测器﹐变成一个微区成分和微区晶体结构分析的有力工具。将电子束聚焦到样品上﹐不但能观察20~30A的组织形貌细节﹐并可以从X射线能谱分析及电子能量损失谱中得出这么微小区域的化学成分﹐从微区电子衍射得到它的晶体结构数据﹐这是近几年来电子显微学中发展较快的领域﹐称为分析电子显微学(analytical electron microscopy﹐简写为AEM)。