MOFCOF-e-beam针对此类样品，上海科技大学（通讯单位）与日本电子株式会社联合报告了一种方法，使用常规ADF/ABF就可以在很低电子剂量下对电子束敏感晶体进行成像。该文以Improving Data Quality in Traditional Low-dose Scanning Transmission Electron Microscopy Imaging为题发表在 Particle & Particle Systems Characterization上日本电子应用工程师王灵灵与上

JEOL JEM-ARM300F冷场，提出了一种通用策略来提高低剂量STEM成像中SNR的电子利用效率。根据特定材料的电子剂量容忍度和分辨率要求，可以通过在商业化电镜上进行光路调整，实现好的成像条件。该策略已被成功应用于MFI沸石和MIL-101MOF材料这两种电子束敏感材料。以下为应用实例：

0.2pA的低剂量5/6/10孔道里吸附的分子更能被清楚地观察到。

使用ABF探测器，从FFT信息传递到0.11nm的衍射点，能清楚地看到氧原子，比如下图箭头所示位置。

2)材料同样使用A经过图像过滤的与能清晰看到原子簇的排列。

综上，作者发现这种策略可以大幅提高低剂量成像中的电子利用效率。通过在商用上进行光路调整，可以根据不同材料的电子剂量容忍度和分辨率要求，MFIMIL-101 MOF上。

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